| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 小信号MOSFET |
| 型号编码 | RQ1E050RPTRn: 0 |
| 说明 | 小信号MOSFET TSMT |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 394 [库存更新时间：2024-05-19] |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4V,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 28nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1300pF @ 10V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 700mW(Ta) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 31mΩ@5A,10V |
| 工作温度 | 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | TSMT |
| FET类型 | P-Channel |
| 漏源极电压Vds | 30V |
| 连续漏极电流Id | 5A |
IC普拉斯 元器件现货
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